MOSFET STMicroelectronics STB80NF55-06T4, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
9.35mm
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
142 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Altura
4.37mm
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€ 19,59
€ 3,919 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 3,919 | € 19,59 |
| 25 - 45 | € 3,682 | € 18,41 |
| 50 - 120 | € 3,485 | € 17,42 |
| 125 - 245 | € 3,292 | € 16,46 |
| 250+ | € 3,14 | € 15,70 |
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N
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80 A
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55 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
9.35mm
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
142 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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