MOSFET STMicroelectronics STB80NF10T4, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 687-5080Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB80NF10T4
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

STripFET II

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

135 nC a 10 V

Anchura

9.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Altura

4.6mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 6,54

€ 3,27 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STB80NF10T4, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2€ 6,54
4€ 13,08
6€ 19,62
8€ 26,16
10€ 32,70
12€ 39,24
14€ 45,78
16€ 52,32
18€ 58,86
20€ 65,40
22€ 71,94
24€ 78,48
26€ 85,02
28€ 91,56
30€ 98,10

€ 6,54

€ 3,27 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STB80NF10T4, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Información de stock no disponible temporalmente.

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2€ 6,54
4€ 13,08
6€ 19,62
8€ 26,16
10€ 32,70
12€ 39,24
14€ 45,78
16€ 52,32
18€ 58,86
20€ 65,40
22€ 71,94
24€ 78,48
26€ 85,02
28€ 91,56
30€ 98,10

Información de stock no disponible temporalmente.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

STripFET II

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

135 nC a 10 V

Anchura

9.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Altura

4.6mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more