Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
135 nC a 10 V
Profundidad
9.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
4.6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 7,27
€ 3,637 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
135 nC a 10 V
Profundidad
9.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
4.6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.