MOSFET STMicroelectronics STB6N60M2, VDSS 650 V, ID 4,5 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
60 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.35mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
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Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura Máxima de Operación
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Anchura
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Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.35mm
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MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
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