Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,8 nC a 10 V
Profundidad
9.35mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
4.37mm
País de Origen
China
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€ 1,24
Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
1000
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13 A
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,8 nC a 10 V
Profundidad
9.35mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
4.37mm
País de Origen
China