MOSFET STMicroelectronics STB18N60DM2, VDSS 600 V, ID 12 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh DM2
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
290 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
9.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Ancho
10.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
4.6mm
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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| 10 - 95 | € 2,433 | € 12,16 |
| 100 - 495 | € 1,906 | € 9,53 |
| 500+ | € 1,607 | € 8,04 |
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600 V
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Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
290 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
9.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Ancho
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Material del transistor
Si
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-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
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Datos del producto
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