MOSFET STMicroelectronics STB12NM50T4, ID 12 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 188-8281Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB12NM50T4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

12 A

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

350 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

160000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

9.35mm

Longitud

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

28 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65 °C

Tensión de diodo directa

1.5V

Altura

4.37mm

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€ 1.973,51

€ 1,974 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STB12NM50T4, ID 12 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

1000

Disponible en múltiplos de 1000
1000€ 1.973,51
2000€ 3.947,02
3000€ 5.920,53
4000€ 7.894,04
5000€ 9.867,56
6000€ 11.841,07
7000€ 13.814,58
8000€ 15.788,09
9000€ 17.761,60
10000€ 19.735,11
11000€ 21.708,62
12000€ 23.682,13
13000€ 25.655,64
14000€ 27.629,15
15000€ 29.602,66

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350 m.Ω

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

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Disipación de Potencia Máxima

160000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

9.35mm

Longitud

10.4mm

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28 nC a 10 V

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