Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
45 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
SCT
Tipo de Encapsulado
Hip247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.055 Ω
Modo de Canal
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 12,35
€ 12,35 Each (Sin IVA)
Estándar
1
€ 12,35
€ 12,35 Each (Sin IVA)
Estándar
1
Comprar en grandes cantidades
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | € 12,35 |
| 5 - 9 | € 12,03 |
| 10+ | € 11,73 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
45 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
SCT
Tipo de Encapsulado
Hip247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.055 Ω
Modo de Canal
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products