Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTW100N65G2AG, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Series
SCT
Tipo de Encapsulado
H²PAK-7
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.105 Ω
Modo de Canal
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
€ 764,30
€ 25,477 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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N
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33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
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SCT
Tipo de Encapsulado
H²PAK-7
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.105 Ω
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Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC