Módulo MOSFET STMicroelectronics SCT10N120, VDSS 1.200 V, ID 12 A, HiP247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
Hip247
Series
SCT
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.58 Ω
Modo de Canal
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Material del transistor
SiC
Número de Elementos por Chip
1
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€ 201,02
€ 6,701 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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