Transistor, MJD31CT4, NPN 3 A 100 V DPAK (TO-252), 3 pines, Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
3 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
2.4 x 6.6 x 6.2mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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€ 52,13
€ 0,521 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
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Empaque de Producción (Rollo)
100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 480 | € 0,521 | € 10,43 |
| 500 - 980 | € 0,451 | € 9,02 |
| 1000 - 2480 | € 0,383 | € 7,67 |
| 2500+ | € 0,361 | € 7,22 |
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
2.4 x 6.6 x 6.2mm
Temperatura máxima de funcionamiento
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