MOSFET STMicroelectronics IRF630, VDSS 200 V, ID 9 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.4mm
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
9.15mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,415 | € 7,08 |
| 25 - 45 | € 1,346 | € 6,73 |
| 50 - 120 | € 1,21 | € 6,05 |
| 125 - 245 | € 1,089 | € 5,45 |
| 250+ | € 1,034 | € 5,17 |
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N
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-160 V
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STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.4mm
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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