MOSFET STMicroelectronics IRF630, VDSS 200 V, ID 9 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
75 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 7,01
€ 1,402 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 7,01
€ 1,402 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,402 | € 7,01 |
| 25 - 45 | € 1,333 | € 6,67 |
| 50 - 120 | € 1,20 | € 6,00 |
| 125 - 245 | € 1,079 | € 5,40 |
| 250+ | € 1,024 | € 5,12 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
75 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
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Altura
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