Transistor bipolar, BUT100, NPN 125 V TO-3, 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor
125 V
Tipo de Encapsulado
TO-3
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Maximum Collector Base Voltage
200 V
Tensión Máxima Emisor-Base
7 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+200 °C
Dimensiones del Cuerpo
8.7 x 39.5 x 26.2mm
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