Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
450 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
850 V
Tensión Máxima Emisor-Base
9 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores de alta tensión, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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P.O.A.
75
P.O.A.
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Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
450 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
850 V
Tensión Máxima Emisor-Base
9 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores de alta tensión, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.