Transistor Darlington, BD682, PNP 4 A, 100 V, HFE:750, SOT-32, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
7.8mm
Ancho
2.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
10.8mm
Dimensiones
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Datos del producto
Transistores Darlington PNP, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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€ 3,96
€ 0,793 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 0,793 | € 3,96 |
| 25 - 45 | € 0,745 | € 3,72 |
| 50 - 120 | € 0,704 | € 3,52 |
| 125 - 245 | € 0,671 | € 3,35 |
| 250+ | € 0,632 | € 3,16 |
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100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
7.8mm
Ancho
2.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
10.8mm
Dimensiones
7.8 x 2.7 x 10.8mm
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