Transistor Darlington, BD681, NPN 4 A, 100 V, HFE:750, SOT-32, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Profundidad
2.7mm
Altura
10.8mm
Dimensiones
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Longitud
7.8mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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€ 18,67
€ 0,373 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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Información de stock no disponible temporalmente.
50
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,373 | € 18,67 |
| 100 - 450 | € 0,261 | € 13,06 |
| 500 - 950 | € 0,227 | € 11,33 |
| 1000 - 1950 | € 0,193 | € 9,65 |
| 2000+ | € 0,181 | € 9,08 |
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Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
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Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Profundidad
2.7mm
Altura
10.8mm
Dimensiones
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Longitud
7.8mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
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