Transistor Darlington, BD677, NPN 4 A, 60 V, HFE:750, SOT-32, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión Base Máxima del Colector
60 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Dimensiones
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Profundidad
2.7mm
Altura
10.8mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Longitud
7.8mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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€ 15,64
€ 0,313 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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Información de stock no disponible temporalmente.
50
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,313 | € 15,64 |
| 100 - 450 | € 0,248 | € 12,41 |
| 500 - 950 | € 0,241 | € 12,06 |
| 1000 - 1950 | € 0,235 | € 11,77 |
| 2000+ | € 0,23 | € 11,48 |
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4 A
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60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión Base Máxima del Colector
60 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Dimensiones
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Profundidad
2.7mm
Altura
10.8mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Longitud
7.8mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
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