Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SpansionTamaño de la Memoria
128Mbit
Tipo de Interfaz
Parallel
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
56
Organización
8M x 16 bits
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NI
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Organización de Bloques
Simétrico
Longitud
18.5mm
Altura
1.05mm
Ancho
14.1mm
Dimensiones del Cuerpo
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
90ns
Número de Palabras
8M
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Número de Bits de Palabra
16bit
País de Origen
Thailand
Datos del producto
Memoria Flash NOR en paralelo, Cypress Semiconductor
Altas prestaciones
Acceso aleatorio rápido y ancho de banda alto
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
Price on asking
Each (In a Pack of 7) (Sin IVA)
Estándar
7
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128Mbit
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Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
56
Organización
8M x 16 bits
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NI
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Organización de Bloques
Simétrico
Longitud
18.5mm
Altura
1.05mm
Ancho
14.1mm
Dimensiones del Cuerpo
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
90ns
Número de Palabras
8M
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Número de Bits de Palabra
16bit
País de Origen
Thailand
Datos del producto
Memoria Flash NOR en paralelo, Cypress Semiconductor
Altas prestaciones
Acceso aleatorio rápido y ancho de banda alto
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.