Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemikronCorriente Máxima Continua del Colector
618 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Configuration
Single
Tipo de Encapsulado
SEMITRANS3
Tipo de Montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
5
Transistor Configuration
Single
Dimensiones
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
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10 - 19 | € 231,69 |
20 - 49 | € 220,01 |
50 - 249 | € 209,04 |
250+ | € 198,81 |
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Especificaciones
Brand
SemikronCorriente Máxima Continua del Colector
618 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Configuration
Single
Tipo de Encapsulado
SEMITRANS3
Tipo de Montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
5
Transistor Configuration
Single
Dimensiones
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.