Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Semikron DanfossCorriente Máxima Continua del Colector
618 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Configuración
Single
Tipo de Encapsulado
SEMITRANS3
Tipo de montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
5
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
€ 206,34
€ 206,34 Each (Sin IVA)
1
€ 206,34
€ 206,34 Each (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | € 206,34 |
10 - 19 | € 196,23 |
20 - 49 | € 186,33 |
50 - 249 | € 177,04 |
250+ | € 168,37 |
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Especificaciones
Brand
Semikron DanfossCorriente Máxima Continua del Colector
618 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Configuración
Single
Tipo de Encapsulado
SEMITRANS3
Tipo de montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
5
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.