Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Semikron DanfossCorriente Máxima Continua del Colector
232 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Tipo de Encapsulado
SEMITRANS2
Configuración
Single
Tipo de montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
5
Configuración de transistor
Single
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Dimensiones del Cuerpo
94 x 34 x 30.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Ancho
34mm
Datos del producto
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
€ 106,37
€ 106,37 Each (Sin IVA)
1
€ 106,37
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | € 106,37 |
10 - 19 | € 79,03 |
20+ | € 75,10 |
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Especificaciones
Brand
Semikron DanfossCorriente Máxima Continua del Colector
232 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Tipo de Encapsulado
SEMITRANS2
Configuración
Single
Tipo de montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
5
Configuración de transistor
Single
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Dimensiones del Cuerpo
94 x 34 x 30.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Ancho
34mm
Datos del producto
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.