Documentos Técnicos
Especificaciones
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Canal
N
Material del transistor
Si
Conteo de Pines
4
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Screw Mount
Temperatura Máxima de Operación
+200 °C
Tensión Máxima Drenador-Fuente
70 V
Tensión de umbral de puerta máxima
7V
Serie
TetraFET
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Altura
6.6mm
Profundidad
9.52mm
Longitud:
24.76mm
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Tipo de Encapsulado
DA
Brand
SemelabPaís de Origen
United Kingdom
Datos del producto
Fully Moulded Subminiature GB Series
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€ 50,029
Each (Supplied in a Tray) (Sin IVA)
25
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Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Canal
N
Material del transistor
Si
Conteo de Pines
4
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Screw Mount
Temperatura Máxima de Operación
+200 °C
Tensión Máxima Drenador-Fuente
70 V
Tensión de umbral de puerta máxima
7V
Serie
TetraFET
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Altura
6.6mm
Profundidad
9.52mm
Longitud:
24.76mm
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Tipo de Encapsulado
DA
Brand
SemelabPaís de Origen
United Kingdom
Datos del producto