MOSFET Semelab ALF08P20K, VDSS 200 V, ID 8 A, TO-3 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 737-9586Marca: SemelabNúmero de parte de fabricante: ALF08P20K
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Semelab

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-160 V

Tipo de Encapsulado

TO-3

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

25mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Largo

39mm

Serie

ALFET

Altura

8.7mm

País de Origen

United Kingdom

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

Información de stock no disponible temporalmente.

P.O.A.

MOSFET Semelab ALF08P20K, VDSS 200 V, ID 8 A, TO-3 de 3 pines, config. Simple

P.O.A.

MOSFET Semelab ALF08P20K, VDSS 200 V, ID 8 A, TO-3 de 3 pines, config. Simple
Información de stock no disponible temporalmente.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Semelab

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-160 V

Tipo de Encapsulado

TO-3

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

25mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Largo

39mm

Serie

ALFET

Altura

8.7mm

País de Origen

United Kingdom

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more