Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-200 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-40 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-40 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 1.5 x 1.15mm
País de Origen
Thailand
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P.O.A.
200
P.O.A.
200
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ROHMTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-200 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-40 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-40 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 1.5 x 1.15mm
País de Origen
Thailand