Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
54,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
TO-247N
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
165 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
22 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
SiC
Longitud:
16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
107 nC a 18 V
Altura
21mm
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P.O.A.
1
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Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
54,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
TO-247N
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
165 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
22 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
SiC
Longitud:
16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
107 nC a 18 V
Altura
21mm