MOSFET ROHM SCT2H12NZGC11, VDSS 1700 V, ID 3,7 A, TO-3PFM de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 133-2860Marca: ROHMNúmero de parte de fabricante: SCT2H12NZGC11
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

3.7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1700 V

Serie

SCT2H12NZ

Tipo de Encapsulado

TO-3PFM

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.6V

Disipación de Potencia Máxima

35000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-6 V, +22 V

Material del transistor

Si

Longitud

16mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 18 V

Profundidad

5mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

21mm

Tensión de diodo directa

4.3V

Datos del producto

Transistores MOSFET de canal N, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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200+€ 6,415€ 12,83

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Tipo de montaje

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1.5 Ω

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

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Material del transistor

Si

Longitud

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