Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Series
RZM002P02
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
150 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Longitud
1.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,4 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
0.9mm
Altura
0.45mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 7,44
€ 0,099 Each (In a Pack of 75) (Sin IVA)
75
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Información de stock no disponible temporalmente.
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ROHMTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Series
RZM002P02
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
150 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Longitud
1.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,4 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
0.9mm
Altura
0.45mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto