MOSFET ROHM RU1C001ZPTL, VDSS 20 V, ID 100 mA, SC-85 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Serie
RU1C001ZP
Tipo de Encapsulado
SC-85
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
200 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
10 V
Ancho
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,2 nC a 4,5 V
Altura
0.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Thailand
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P.O.A.
200
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ROHMTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Serie
RU1C001ZP
Tipo de Encapsulado
SC-85
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
200 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
10 V
Ancho
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,2 nC a 4,5 V
Altura
0.95mm
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