MOSFET ROHM HP8MA2TB1, VDSS 30 V, ID 18 A, 15 A, HSOP8 de 8 pines, 2elementos

Código de producto RS: 178-5964Marca: ROHMNúmero de parte de fabricante: HP8MA2TB1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de Canal

N, P

Maximum Continuous Drain Current

18 A, 15 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

HP8MA2

Tipo de Encapsulado

HSOP8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V

Tensión de umbral de puerta mínima

1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V

Disipación de Potencia Máxima

7 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V, ±20 V

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Profundidad

5.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

22 nC a 10 V (canal N), 25 nC a 10 V (canal P)

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1.1mm

País de Origen

Thailand

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Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

MOSFET ROHM HP8MA2TB1, VDSS 30 V, ID 18 A, 15 A, HSOP8 de 8 pines, 2elementos

10

Disponible en múltiplos de 10
10€ 13,10
20€ 26,20
30€ 39,30
40€ 52,39
50€ 56,49
60€ 67,78
70€ 79,08
80€ 90,38
90€ 101,68
100€ 82,57
110€ 90,82
120€ 99,08
130€ 107,34
140€ 115,59
150€ 123,85

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Serie

HP8MA2

Tipo de Encapsulado

HSOP8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V

Tensión de umbral de puerta mínima

1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V

Disipación de Potencia Máxima

7 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V, ±20 V

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Profundidad

5.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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