Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Transistor
PNP
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
200 mW
Transistor Configuration
Single
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Typical Resistor Ratio
0,47
Resistencia base-emisor
4.7KΩ
Dimensiones del Cuerpo
2.1 x 1.35 x 0.9mm
Typical Input Resistor
10 kΩ
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Thailand
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P.O.A.
200
P.O.A.
200
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Brand
ROHMTipo de Transistor
PNP
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
200 mW
Transistor Configuration
Single
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Typical Resistor Ratio
0,47
Resistencia base-emisor
4.7KΩ
Dimensiones del Cuerpo
2.1 x 1.35 x 0.9mm
Typical Input Resistor
10 kΩ
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Thailand