Par Darlington, BA12004BF-E2, NPN 60 V, Matriz 7, HFE:1000, SOP, 16 pines Emisor común
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Transistor
NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
16
Transistor Configuration
Common Emitter
Configuration
Array 7
Número de Elementos por Chip
7
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Altura
1.5mm
Ancho
4.4mm
Disipación de Potencia Máxima
620 mW
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
10 x 4.4 x 1.5mm
Temperatura Máxima de Operación
+85 °C.
Longitud
10mm
Corriente de base
0.5mA
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, ROHM
7 canales
Resistencia de entrada para limitar la corriente de base
Diodo de abrazadera de absorción de transitorios de tensión de salida
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
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P.O.A.
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Tensión Máxima Colector-Emisor
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SOP
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16
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Common Emitter
Configuration
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Número de Elementos por Chip
7
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Altura
1.5mm
Ancho
4.4mm
Disipación de Potencia Máxima
620 mW
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
10 x 4.4 x 1.5mm
Temperatura Máxima de Operación
+85 °C.
Longitud
10mm
Corriente de base
0.5mA
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