Par Darlington, BA12003B, NPN 60 V, Matriz 7, HFE:1000, DIP, 16 pines Emisor común

Código de producto RS: 128-8847Marca: ROHMNúmero de parte de fabricante: BA12003B
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de Transistor

NPN

Tensión Máxima Colector-Emisor

60 V

Tipo de Encapsulado

DIP

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

16

Transistor Configuration

Common Emitter

Configuration

Array 7

Número de Elementos por Chip

7

Ganancia Mínima de Corriente DC

1000

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.6 V

Altura

3.74mm

Profundidad

6.5mm

Disipación de Potencia Máxima

1,25 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Dimensiones del Cuerpo

19.4 x 6.5 x 3.74mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Longitud

19.4mm

Corriente de base

1.35mA

Datos del producto

Conjuntos de transistores Darlington, ROHM

7 canales
Resistencia de entrada para limitar la corriente de base
Diodo de abrazadera de absorción de transitorios de tensión de salida

Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor

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Par Darlington, BA12003B, NPN 60 V, Matriz 7, HFE:1000, DIP, 16 pines Emisor común

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
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Configuration

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Número de Elementos por Chip

7

Ganancia Mínima de Corriente DC

1000

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.6 V

Altura

3.74mm

Profundidad

6.5mm

Disipación de Potencia Máxima

1,25 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Dimensiones del Cuerpo

19.4 x 6.5 x 3.74mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Longitud

19.4mm

Corriente de base

1.35mA

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