Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
32 V
Tipo de Encapsulado
UMT
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
250 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
0.8 x 2 x 1.25mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
PRICED TO CLEAR
Yes
País de Origen
Japan
Datos del producto
Transistor de señal pequeña NPN, Rohm
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
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P.O.A.
3000
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3000
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ROHMTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
32 V
Tipo de Encapsulado
UMT
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
250 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
0.8 x 2 x 1.25mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
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Yes
País de Origen
Japan
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