Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-3 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
10000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
300 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
6.8 x 6.4 x 2.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Japan
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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ROHMTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-3 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
10000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
300 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
6.8 x 6.4 x 2.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Japan