Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
3 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Common Emitter
Maximum Collector Base Voltage
-60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
10 MHz
Conteo de Pines
3 + Tab
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
4.7 x 2.7 x 1.4mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
País de Origen
Japan
Datos del producto
Transistores de potencia PNP, Rohm
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
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P.O.A.
25
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25
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ROHMTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
3 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Common Emitter
Maximum Collector Base Voltage
-60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
10 MHz
Conteo de Pines
3 + Tab
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
4.7 x 2.7 x 1.4mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
País de Origen
Japan
Datos del producto