IGBT, RJP4010AGE-01#P5, N-Canal, 150 A (pulso), 400 V, TSOJ, 8-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
150 A (pulso)
Tensión Máxima Colector-Emisor
400 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±6V
Disipación de Potencia Máxima
1.6 W
Tipo de Encapsulado
TSOJ
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
8
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 2.5 x 1mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Capacitancia de puerta
5100pF
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
IGBT Discretes, Renesas Electronics
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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P.O.A.
4
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Renesas ElectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
150 A (pulso)
Tensión Máxima Colector-Emisor
400 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±6V
Disipación de Potencia Máxima
1.6 W
Tipo de Encapsulado
TSOJ
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
8
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 2.5 x 1mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Capacitancia de puerta
5100pF
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
IGBT Discretes, Renesas Electronics
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.