IGBT, RJH1CF7RDPQ-80#T2, N-Canal, 60 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±30V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.94 x 5.02 x 21.13mm
Capacitancia de puerta
3270pF
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
IGBT Discretes, Renesas Electronics
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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P.O.A.
2
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60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±30V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.94 x 5.02 x 21.13mm
Capacitancia de puerta
3270pF
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
IGBT Discretes, Renesas Electronics
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.