Memoria SRAM Renesas Electronics, 4Mbit, 512 K palabras x 8 bits, TSOP-32, VCC máx. 5,5 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTamaño de la Memoria
4Mbit
Organización
512K palabras x 8 bits
Número de Palabras
512K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
55ns
Ancho del Bus de Direcciones
19bit
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
32
Dimensiones del Cuerpo
21.05 x 10.26 x 1.05mm
Altura
1.05mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Ancho
10.26mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud
21.05mm
Datos del producto
SRAM de baja potencia, serie R1LP, Renesas Electronics
La serie R1LP de RAM estáticas avanzadas de baja tensión son aptas para aplicaciones de memoria en las que los objetivos de diseño importantes sean una interfaz sencilla, el funcionamiento de la batería y la batería de reserva.
Fuente de alimentación simple de 4,5 V o 5,5 V
Corriente pequeña en standby
No es necesario reloj ni actualizaciones
Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL
SRAM (Static Random Access Memory)
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Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
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Ancho del Bus de Direcciones
19bit
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Surface Mount
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TSOP
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Dimensiones del Cuerpo
21.05 x 10.26 x 1.05mm
Altura
1.05mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Ancho
10.26mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud
21.05mm
Datos del producto
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La serie R1LP de RAM estáticas avanzadas de baja tensión son aptas para aplicaciones de memoria en las que los objetivos de diseño importantes sean una interfaz sencilla, el funcionamiento de la batería y la batería de reserva.
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