Memoria EEPROM en paralelo R1EV5801MBTDRDI#B0 Renesas Electronics, 1Mbit, 8bit, 32 pines TSOP
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTamaño de la Memoria
1Mbit
Tipo de Encapsulado
TSOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
32
Organización
128 x 8 bits
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Tensión de Programación
2.7 → 5.5V
Número de Bits de Palabra
8bit
Dimensiones del Cuerpo
12.4 x 8.2 x 1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
País de Origen
Japan
Datos del producto
PROM eléctricamente borrable (EEPROM) con acceso paralelo, Renesas Electronics
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P.O.A.
1
P.O.A.
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTamaño de la Memoria
1Mbit
Tipo de Encapsulado
TSOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
32
Organización
128 x 8 bits
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Tensión de Programación
2.7 → 5.5V
Número de Bits de Palabra
8bit
Dimensiones del Cuerpo
12.4 x 8.2 x 1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
País de Origen
Japan
Datos del producto