Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
PanasonicTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
Smini3-G1-B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Ancho
1.25mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2mm
Altura
0.8mm
Serie
MTM
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal P, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Especificaciones
Brand
PanasonicTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
Smini3-G1-B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Ancho
1.25mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2mm
Altura
0.8mm
Serie
MTM
País de Origen
Malaysia
Datos del producto