Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
PanasonicTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SSMini3 F3 B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
125 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Ancho
0.85mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Longitud
1.6mm
Altura
0.6mm
Serie
FK
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Especificaciones
Brand
PanasonicTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SSMini3 F3 B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
125 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Ancho
0.85mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Longitud
1.6mm
Altura
0.6mm
Serie
FK
País de Origen
China
Datos del producto