Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
PanasonicTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
FK
Tipo de Encapsulado
SSSMini3 F2 B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
100 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Ancho
0.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
1.2mm
Altura
0.47mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
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P.O.A.
10000
P.O.A.
10000
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Especificaciones
Brand
PanasonicTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
FK
Tipo de Encapsulado
SSSMini3 F2 B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
100 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Ancho
0.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
1.2mm
Altura
0.47mm
País de Origen
China
Datos del producto