Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
PanasonicTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SSMini6 F3 B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
125 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.2mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
1.6mm
Altura
0.5mm
Serie
FC
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
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P.O.A.
8000
P.O.A.
8000
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Especificaciones
Brand
PanasonicTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SSMini6 F3 B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
125 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.2mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
1.6mm
Altura
0.5mm
Serie
FC
País de Origen
China
Datos del producto