Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
PanasonicTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1 → 3mA
Maximum Drain Gate Voltage
-55V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SSMini3 F3 B
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
1.6 x 0.85 x 0.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
1.6mm
Altura
0.7mm
Profundidad
0.85mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, Panasonic
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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P.O.A.
20
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Brand
PanasonicTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1 → 3mA
Maximum Drain Gate Voltage
-55V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SSMini3 F3 B
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
1.6 x 0.85 x 0.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
1.6mm
Altura
0.7mm
Profundidad
0.85mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, Panasonic
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.