Fototransistor NPNOsram Opto de amplio espectro, rango onda λ 350 → 970 nm, corriente Ic 20mA, mont. SMD, DIP
Documentos Técnicos
Especificaciones
Espectros Detectados
Infrarrojo, Ultravioleta, Luz Visible
Number of Channels
1
Maximum Light Current
10µA
Corriente de Oscuridad Máxima
3nA
Ángulo de Sensibilidad Media
120 °
Polarity
NPN
Number of Pins
3
Tipo de montaje
Surface Mount
Encapsulado
DIP
Dimensiones
2.1 x 2.7 x 1.05mm
Corriente del Colector
20mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
970nm
Rango Espectral de Sensibilidad
350 → 970 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
350nm
Longitud
2.1mm
Ancho
2.7mm
Altura
1.05mm
Datos del producto
Sensores de luz ambiental - Vlambda
Una gama de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, con características V-Lambda mejoradas. Estos fototransistores compactos son adecuados para una gama amplia de aplicaciones incluidas: detectores de luz ambiental, fotómetros para luz de día y luz artificial, sensor para atenuación de retroiluminación y para circuitos de control y accionamiento.
Adaptado a la sensibilidad del ojo humano (Vλ)
Ambient Light Sensors, OSRAM Opto Semiconductors
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5
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3nA
Ángulo de Sensibilidad Media
120 °
Polarity
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Encapsulado
DIP
Dimensiones
2.1 x 2.7 x 1.05mm
Corriente del Colector
20mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
970nm
Rango Espectral de Sensibilidad
350 → 970 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
350nm
Longitud
2.1mm
Ancho
2.7mm
Altura
1.05mm
Datos del producto
Sensores de luz ambiental - Vlambda
Una gama de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, con características V-Lambda mejoradas. Estos fototransistores compactos son adecuados para una gama amplia de aplicaciones incluidas: detectores de luz ambiental, fotómetros para luz de día y luz artificial, sensor para atenuación de retroiluminación y para circuitos de control y accionamiento.
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