Fototransistor NPN Osram Opto sensible a IR, rango onda λ 850 → 1100 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante,

Código de producto RS: 654-8738PMarca: OSRAM Opto SemiconductorsNúmero de parte de fabricante: SFH 3100 F
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

OSRAM Opto Semiconductors

Espectros Detectados

Infrarrojo

Tiempo de Bajada Típico

9µs

Typical Rise Time

7µs

Number of Channels

1

Maximum Light Current

400µA

Corriente de Oscuridad Máxima

50nA

Ángulo de Sensibilidad Media

28 °

Polarity

NPN

Number of Pins

1

Tipo de montaje

Through Hole

Encapsulado

Side Looker

Dimensiones

3.1 x 2.2 x 4.1mm

Corriente del Colector

50mA

Mínima Longitud de Onda Detectada

850nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Rango Espectral de Sensibilidad

850 → 1100 nm

Largo

3.1mm

Profundidad

2.2mm

Altura

4.1mm

Datos del producto

Fototransistor con encapsulado de recepción lateral

SFH 3100 F, de OSRAM Opto Semiconductor, es un fototransistor NPN de silicio en un encapsulado de recepción lateral. Se suministra en un encapsulado de orificio pasante de recepción lateral (SL). Tiene una lente negra para filtro diurno. El SFH 3100 F se ha diseñado para aplicaciones con una longitud de onda de 840 a 1.080 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas destacan: detectores de fotointerruptores, detección de final de cinta, transmisión de datos, detección de posición, lector de código de barras, contadores de monedas y circuitos de accionamiento/control.

Características del fototransistor SFH 3100 F:
Encapsulado de recepción lateral (SL)
Montaje de orificio pasante
Filtro de luz del día
Medio ángulo estrecho
Encapsulado compacto

IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors

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Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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9µs

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1

Maximum Light Current

400µA

Corriente de Oscuridad Máxima

50nA

Ángulo de Sensibilidad Media

28 °

Polarity

NPN

Number of Pins

1

Tipo de montaje

Through Hole

Encapsulado

Side Looker

Dimensiones

3.1 x 2.2 x 4.1mm

Corriente del Colector

50mA

Mínima Longitud de Onda Detectada

850nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Rango Espectral de Sensibilidad

850 → 1100 nm

Largo

3.1mm

Profundidad

2.2mm

Altura

4.1mm

Datos del producto

Fototransistor con encapsulado de recepción lateral

SFH 3100 F, de OSRAM Opto Semiconductor, es un fototransistor NPN de silicio en un encapsulado de recepción lateral. Se suministra en un encapsulado de orificio pasante de recepción lateral (SL). Tiene una lente negra para filtro diurno. El SFH 3100 F se ha diseñado para aplicaciones con una longitud de onda de 840 a 1.080 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas destacan: detectores de fotointerruptores, detección de final de cinta, transmisión de datos, detección de posición, lector de código de barras, contadores de monedas y circuitos de accionamiento/control.

Características del fototransistor SFH 3100 F:
Encapsulado de recepción lateral (SL)
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