Fototransistor NPNOsram Opto sensible a IR, rango onda λ 450 → 1120 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, TO-18

Código de producto RS: 876-8694Marca: OSRAM Opto SemiconductorsNúmero de parte de fabricante: BPX 38-4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Espectros Detectados

Infrarrojo

Tiempo de Bajada Típico

15µs

Typical Rise Time

15µs

Number of Channels

1

Maximum Light Current

2300µA

Corriente de Oscuridad Máxima

20 (≤ 100)nA

Ángulo de Sensibilidad Media

±40 °

Polarity

NPN

Number of Pins

3

Tipo de montaje

Through Hole

Encapsulado

TO-18

Dimensiones del Cuerpo

4.8 (Dia.) x 5.5mm

Corriente del Colector

50mA

Diámetro

4.8mm

Rango Espectral de Sensibilidad

450 → 1120 nm

Mínima Longitud de Onda Detectada

450nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1120nm

Tensión de saturación

200mV

Altura

5.5mm

País de Origen

China

Datos del producto

Fototransistor con encapsulado TO18

Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors

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2300µA

Corriente de Oscuridad Máxima

20 (≤ 100)nA

Ángulo de Sensibilidad Media

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Polarity

NPN

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3

Tipo de montaje

Through Hole

Encapsulado

TO-18

Dimensiones del Cuerpo

4.8 (Dia.) x 5.5mm

Corriente del Colector

50mA

Diámetro

4.8mm

Rango Espectral de Sensibilidad

450 → 1120 nm

Mínima Longitud de Onda Detectada

450nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1120nm

Tensión de saturación

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