Fotodiodo de silicio Osram Opto, IR + luz visible, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. superficial, encapsulado DIP de 2

Código de producto RS: 652-0207Marca: OSRAM Opto SemiconductorsNúmero de parte de fabricante: BPW 34 S-Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Espectros Detectados

infrarrojo, Luz Visible

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico

850nm

Encapsulado

DIP

Función de amplificador

No

Tipo de Montaje

Surface Mount

Number of Pins

1

Material del Diodo

Si

Mínima Longitud de Onda Detectada

400nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Longitud:

4.5mm

Profundidad

4mm

Altura

1.2mm

Fotosensibilidad de Pico

0.62A/W

Polarity

Reverse

Datos del producto

Fotodiodo PIN con encapsulado DIL

Esta familia de fotodiodos de IR, de OSRAM Opto Semiconductors, pertenece a la serie BPW 34. Se suministran en encapsulados plásticos DIL de montaje en superficie (SMD) u orificio pasante con un área sensible a la radiación de 2,65 x 2,65 mm². Los fotodiodos de infrarrojos BPW 34 están diseñados para aplicaciones con un rango de longitud de onda de hasta 1.100 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas se incluyen: fotointerruptores, control remoto de infrarrojos y sensores para automoción, auriculares, etc.

IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
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75 - 370€ 0,701€ 3,50
375 - 745€ 0,479€ 2,40
750+€ 0,398€ 1,99

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