Fotodiodo de silicio Osram Opto, IR, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. superficial, encapsulado Smart DIL de 2 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Espectros Detectados
Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
850nm
Encapsulado
Smart DIL
Tipo de montaje
Surface Mount
Función de amplificador
No
Number of Pins
1
Material del Diodo
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
400nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Tiempo de Bajada Típico
0.02µs
Longitud:
4.5mm
Profundidad
3.7mm
Altura
1.2mm
Corriente de cortocircuito
80µA
Polarity
Positivo
Typical Rise Time
0.02µs
Datos del producto
Fotodiodo PIN con encapsulado DIL
Esta familia de fotodiodos de IR, de OSRAM Opto Semiconductors, pertenece a la serie BPW 34. Se suministran en encapsulados plásticos DIL de montaje en superficie (SMD) u orificio pasante con un área sensible a la radiación de 2,65 x 2,65 mm². Los fotodiodos de infrarrojos BPW 34 están diseñados para aplicaciones con un rango de longitud de onda de hasta 1.100 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas se incluyen: fotointerruptores, control remoto de infrarrojos y sensores para automoción, auriculares, etc.
IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors
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Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
400nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Tiempo de Bajada Típico
0.02µs
Longitud:
4.5mm
Profundidad
3.7mm
Altura
1.2mm
Corriente de cortocircuito
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Positivo
Typical Rise Time
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Fotodiodo PIN con encapsulado DIL
Esta familia de fotodiodos de IR, de OSRAM Opto Semiconductors, pertenece a la serie BPW 34. Se suministran en encapsulados plásticos DIL de montaje en superficie (SMD) u orificio pasante con un área sensible a la radiación de 2,65 x 2,65 mm². Los fotodiodos de infrarrojos BPW 34 están diseñados para aplicaciones con un rango de longitud de onda de hasta 1.100 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas se incluyen: fotointerruptores, control remoto de infrarrojos y sensores para automoción, auriculares, etc.
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